Ограждение из стального шпунта (инвентарного) — ниже дна котлована на 2м, с возвышением над ГМВ или ПРС на 0,7м, расстояние от низа фундамента до края котлована 0 6м; Рогр = (периметр * высота * ушп),т, (ушп = 50 кг - вес 1 пог м. стандартного шпунта ШK -1 шириной 0,4 м или 1 м2 шпунта ШК - 1 весит 125 кг)
Рогр=2(5,6+2*0,6+12,8+2*0,6)*(4+2,0+0,7)*0,125=34,84(т)
Механизированная разработка грунта с водоотливом в водотоке (от УГВ) до подошвы фундамента wp.
Vrp=(5,6+2*0,6)*(12,8+2*0,6)*4=380,8 (м3)
Устройство песчанно-щебеночной подушки под фундамент по всей площади периметра мощностью 0,3м,Ущеб=(5,6+2*0,6)*(12,8+2*0,6)*0,3 =30,96 (м3)
Бетонная кладка сборного фундамента V6eт= (3,2*10,4+4,4*11,6+5,6*12,8)* 1,2=187,2 (м3)
Гидроизоляция боковых стенок фундаментаSиз=2*1,2(3,2+10,4+4,4+11,6+5,6*12,8)=115,2(м2)
Извлечение стального шпунта Рогр=2(5,6+2*0,6+12,8+2*0,6)*(4+2,0+0,7)*0,125=34,84 (т)
Засыпка пазух котлована без водоотлива
Узас = (5,6 + 2*0,6)*(12,8 + 2*0,6)*4- 187,2–30,96=162,64(м3)
Необходимая степень очистки сточных вод по БПКполн.
В расчёте учитывается самоочищение сточных вод в водоёме за счёт биохимических процессов, а также разбавление сточных вод водами водоёма.
Допустимое БПКполн, L20 ОСВ, г/м3, сточной жидкости при выпуске её в водоём определяют по формуле:
L20 ОСВ=;
где Кст, Кр - константы скорости потребления кислорода сто ...
Синтез алгоритмов управления тепловым
режимом на станции. Расчет
регулятора САУ ВТЗ. Постановка
задачи синтеза регулятора САУ ВТЗ
Целью функционирования синтезируемой системы управления является поддержание необходимого расхода воздуха в тоннеле метрополитена.
Требования, предъявляемые к качеству переходных процессов в системе управления производительностью вентилятора воздушно-тепловой завесы (САУ ВТЗ): tп 10 с, s30%, D5%
Математич ...
Определение напряжений в грунте от собственного веса и дополнительно от
здания
1. Определяем напряжения от собственного веса грунта, действующие в уровне подошвы фундамента.
дополнительное давление в уровне подошвы фундамента от сооружения
Расчётная толщина элементарного слоя
, м
hi = 0,4*3,2 = 1,28м
Глубина расположения подошвы каждого i-го слоя
Относительная глубина ...