Определение напряжений в грунте от собственного веса и дополнительно от здания

(43)

Определяем напряжения от собственного веса грунта, действующие в уровне подошвы фундамента.

дополнительное давление в уровне подошвы фундамента от сооружения

(44)

Расчётная толщина элементарного слоя

, м (45)

hi = 0,4*3,2 = 1,28 м

Глубина расположения подошвы каждого i-го слоя

(46)

Относительная глубина подошвы i-го слоя

(47)

Глубина расположения подошвы инженерно – геологического элемента

zn1 = H1 - dn = 5,2 – 0,3 = 4,9м

zn2 = zn1 + H2 = 4,9 +4,1 = 9,0м

Нормальное вертикальные сжимающие напряжения на верхней границе каждого элементарного слоя.

(48)

Напряжение от собственного веса грунта

(49)

Проектирование фундаментов на естественном основании. Определение глубины заложения подошвы фундамента
Минимальная глубина заложения фундаментов по конструктивному соображениям для подвальной части здания: , где: - глубина заложения от уровня планировки. Фундаменты под внутренние стены, колонны и наружные стены здания можно закладывать на различной глубине, но при этом допустимая разность отметок заложени ...

Мероприятия по охране труда и противопожарные мероприятия
При строительстве административного здания, перекладки и прокладки инженерных сетей, строительству и реконструкции инженерных сооружений, выполнению работ по благоустройству, озеленению и малым формам необходимо использовать современные средства техники безопасности и соблюдать правила охраны труда. Работаю ...

Размножение сирени
Все культурные формы сирени при семенном размножении не повторяют родительских признаков. Они могут быть размножены только вегетативно. Существуют два способа вегетативного размножения: прививкой и укоренением частей культурного растения. В первом случае к подвою (дичку) приращивают часть культурного расте ...